近日Intel發文介紹了在IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上展示的秀项代多項技術突破。

在新材料方麵，出多減成法釕互連技術(subtractive Ruthenium)最高可將線間電容降低25%，工技有助於改善芯片內互連。术突

Intel代工還率先展示了一種用於先進封裝的破吞異構集成解決方案，能夠將吞吐量提升高達100倍，吐量實現超快速的暴增倍芯片間封裝(chip-to-chip assembly)。

此外，秀项代Intel代工還展示了矽基RibbionFET CMOS (互補金屬氧化物半導體)技術，出多以及用於微縮的工技2D場效應晶體管(2D FETs)的柵氧化層(gate oxide)模塊，以提高設備性能。术突

在300毫米GaN(氮化镓)技術方麵，破吞Intel代工也在繼續推進研究，吐量製造了業界領先的暴增倍高性能微縮增強型GaN MOSHEMT(金屬氧化物半導體高電子遷移率晶體管)。

可以通過減少信號損失，秀项代提高信號線性度和基於襯底背部處理的先進集成方案，為功率器件和射頻器件等應用帶來更強的性能。

Intel代工還認為，以下三個關鍵的創新著力點將有助於AI在未來十年朝著能效更高的方向發展：

先進內存集成(memory integration)，以消除容量、帶寬和延遲的瓶頸;

用於優化互連帶寬的混合鍵合;

模塊化係統(modular system)及相應的連接解決方案