本月15日，资料最早美國商務部最終敲定了台積電（TSMC）在亞利桑那州新建Fab 21項目的显示款項，授予高達66億美元的台积投产直接撥款，以支持整個園區大概650億美元的电美建設支出，其中將興建三間晶圓廠。国工工艺整個項目將創造6000多個直接製造工作崗位，引入于年以及超過20000個累計的资料最早建築工作崗位。
據報道，显示台積電向美國商務部提交的台积投产信息顯示，最早於2028年在美國開始生產2nm芯片。电美根據Fab 21項目製程工藝路線安排，国工工艺將引入A16和N2係列（N2、引入于年N2P和N2X）工藝，资料最早均屬於2nm製程節點，显示量產啟動時間比起中國台灣的台积投产晶圓廠要晚大概三年。
Fab 21一期工程初期投入120億美元，選擇了4/5nm工藝的生產線，已進行了試產，計劃在2025年上半年投產;二期工程原計劃選擇3nm工藝的生產線，現在將推進至2nm工藝，預計在2028年投產，前兩期工程加起來的總產能為每月5萬片晶圓;新增三期工程將采用2nm或更先進的製程技術，預計2030年之前投產。
台積電在2nm製程節點將引入GAA晶體管架構，有望顯著降低功耗，提高性能和晶體管密度，帶來質的改變。按照台積電之前的說法，台積電隻有在大規模量產後，才會考慮遷移到下一個製程節點，而且新一代半導體工藝的研究會在中國台灣展開，以保持半導體技術上的領先地位。
