快科技2月27日消息，下半據國外媒體最新消息稱，年星三星將在今年下半年，将使開始使用中國存儲專利技術生產相應的用中芯片。

近期，国存三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的储专产芯“混合鍵合”技術的專利許可協議。

按照消息人士的利技說法，三星計劃於2025年下半年量產下一代V10 NAND，术生將使用長江存儲的下半專利技術，特別是年星在“混合鍵合”技術方麵。

三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合健合”專利授權，将使主要由於目前長江存儲在“混合鍵合”技術方麵處於全球領先地位。用中並且三星經過評估認為，国存從下一代V10 NAND開始，储专产芯其已經無法再避免長江存儲專利的利技影響。

對於中國存儲行業來說，這確實是振奮人心的消息，畢竟大家從落後一直到趕超，這也從側麵反映了中國科技自主創新的成果。